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PI 膜石墨化炉

发布时间:2020-06-19󰇰浏览次数:1805
PI 膜石墨化炉

PI 膜石墨化炉是我厂工程技术人员消化和吸收国外***的测温、控温技术、智能化、新材料技术和炉膛设计技术,推出的一项特别碳素材料行业(工艺允许也可适用于其他行业)的高性能智能化电炉。


●用途:    

应用碳素材料的烧结,PI 膜石墨化,导热材料石墨化、碳纤维绳的烧结,碳纤维灯丝的烧结石墨化及其它可在碳环境下烧结和熔炼的材料。


●特点:
3000℃以内超高温炉体,可完全满足各种材料的烧结和石墨化。
采用数显化智能控温系统,全自动高精度完成测温控温过程,系统可按给定升温曲线升温,并可贮存二十条共400段不同的工艺加热曲线。
采用内循环纯水冷却系统;数字式流量监控系统,炉体转换采用高性能中频接触器;全面的PLC水、电、气自动控制和保护系统。

●主要技术参数:
**使用温度:3000℃
高温区容积:0.01m3、0.02m3、0.03m3、0.05m3、 0.1m3、 0.15m3、0.2m3 、0.3m3 、0.5m3、0.8m3
炉内工作气氛:真空、氢气、氮气、惰性气体等
温度均匀度:≤±10℃
温度测量:远红外线光学测温
测温范围1000~3000℃或600~3100℃
测温精度:0.2~0.75%
温度控制:程序控制和手动控制; 控温精度:±1℃
极限升温速度:50℃/分钟(空炉,视高温区容积和炉膛结构而定.

 

 

参数名称 

单位

KGPS -160

KGPS -200

KGPS -250

KGPS -250

KGPS -250

坩埚有效容积
  (直径×高)

mm

Φ200×300

Φ350*600

Φ400*1000 

Φ500×1000

Φ600×1000

中频电源功率

Kw

160

200

250

250

250

中频电源频率

Hz

4000

4000

2500

2500

2500

**工作温度

℃ 

3000

3000

3000

3000

3000

极限真空度

Pa

1.2×10-1 

1.2×10-1 

1.2×10-1 

1.2×10-1 

1.2×10-1 

压升率

Pa/h

2

2

2

2

2

恒温区温差

℃ 

±10

±10

±10

±10

±10

 


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